再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/09

タイトル(英語): Normally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate with Regrown p-GaN/AlGaN/GaN Semipolar Gate Structure

著者名: 柴田 大輔(パナソニック),半田 浩之(パナソニック),塩崎 奈々子(パナソニック),梶谷 亮(パナソニック),梅田 英和(パナソニック),宇治田 信二(パナソニック),小川 雅弘(パナソニック),田中 健一郎(パナソニック),田村 聡之(パナソニック),初田 次康(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),上田 哲三(パナソニック)

著者名(英語): Daisuke Shibata(Panasonic Corporation),Hiroyuki Handa(Panasonic Corporation),Nanako Shiozaki(Panasonic Corporation),Ryo Kajitani(Panasonic Corporation),Hidekazu Umeda(Panasonic Corporation),Shinji Ujita(Panasonic Corporation),Masahiro Ogawa(Panasonic Corporation),Kenichiro Tanaka(Panasonic Corporation),Satoshi Tamura(Panasonic Corporation),Tsuguyasu Hatsuda(Panasonic Corporation),Masahiro Ishida(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation)

キーワード: 縦型トランジスタ|ＧａＮ基板|ノーマリオフ|半極性ゲート|高しきい値電圧|vertical transistor|GaN substrate|normally-off|semipolar gate|high threshold voltage

要約(日本語): GaN基板上縦型GaNトランジスタにおいてRonA=1.0 mΩcm2および耐圧1.7kVを実現。半極性P-GaN / AlGaN / GaNゲート構造を採用し2.5Vの高いしきい値電圧を実現した。作製した大電流デバイスにおいて、400V / 15Aの大電流スイッチングを実証した。

要約(英語): A normally-off vertical GaN-based transistor on a bulk GaN substrate with low specific on-state resistance of 1.0 mΩcm2 and high breakdown voltage of 1.7 kV is presented. Semipolar P-GaN/AlGaN/GaN gate enables high threshold voltages of 2.5 V and stable switching operations. The fabricated high-current vertical transistor achieves successful fast switching at 400V/15A.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,333 Kバイト