AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/09

タイトル(英語): Reduction of plasma-induced damage on AlGaN/GaN HEMT by atomic layer etching

著者名: 叶丸 孝治(東芝),須古 彩香(東芝),片岡 淳司(東芝),菊地 拓雄(東芝),齋藤 玲子(東芝),石川 諭(東芝)

著者名(英語): Koji Kanomaru(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation),Ayaka Suko(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation),Junji Kataoka(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation),Takuo Kikuchi(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation),Reiko Saito(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation),Satoshi Ishikawa(Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|原子層エッチング|プラズマ誘起ダメージ|Gallium nitride |High electron mobility transistor|Atomic layer etching|Plasma-induced damage

要約(日本語): 高精度なエッチング量の制御と加工ダメージの低減が求められるAlGaN/GaN HEMTのゲート加工向けに，ALE(Atomic Layer Etching)を用いたAlGaNエッチングの基礎評価を実施した．AlGaN表面やゲート界面の物理的/化学的特性を評価した結果，ALEを用いることで，AlGaNのエッチング量を1nm以下の精度で制御でき，エッチングによるAlGaN表面へのプラズマ誘起ダメージを低減できることが分かった．

要約(英語): We investigated the impact of atomic layer etching process on electrical and chemical properties at the gate interface of AlGaN/GaN HEMT. We found that atomic layer etching process could effectively reduce plasma-induced damage on Aluminum Gallium Nitride surface.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 731 Kバイト