AlGaN/GaN HEMTのイオン照射効果の観察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/09

タイトル(英語): Observation of irradiation effects of ions in AlGaN/GaN HEMTs

著者名: 佐々木 肇(三菱電機),日坂 隆行(三菱電機),門岩 薫(三菱電機),奥 友希(三菱電機),小野田 忍(量子科学技術研究開発機構),大島 武(量子科学技術研究開発機構),田口 英次(大阪大学),保田 英洋(大阪大学)

著者名(英語): Hajime Sasaki(Mitsubishi Electric Corporation),Takayuki Hisaka(Mitsubishi Electric Corporation),Kaoru Kdoiwa(Mitsubishi Electric Corporation),Tomoki Oku(Mitsubishi Electric Corporation),Shinobu Onoda(National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology),Takeshi Ohshima(National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology),Eiji Taguchi(Osaka University),Hidehiro Yasida(Osaka University)

キーワード: ＧａＮデバイス|放射線|信頼性|透過型電子顕微鏡|人工衛星|宇宙|GaN device|radiation|reliability|TEM|satellite|space

要約(日本語): 宇宙用AlGaN/GaN HEMTの放射線照射効果を評価。重粒子イオン照射による弾き出し損傷効果を超高圧電子顕微鏡を用い直接観察した。また電子線照射ダメージをその場観察し転位ループの生成を確認した。欠陥発生の様子を実験と理論で比較を行った。衛星搭載用デバイスとして充分な耐放射線性があることを示した。

要約(英語): The irradiation effects of high energy heavy-ion and electron on AlGaN/GaN HEMTs are investigated using ultra-high voltage electron microscopy. In-situ dislocation loop generation is observed by HVEM. Device characteristics are stable with high fluence irradiation. It indicates high reliability of the device for the radiation environment of space application.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 880 Kバイト