無線通信用窒化ガリウムトランジスタ の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17047

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/10

タイトル(英語): GaN HEMT development for wireless communications

著者名: 井上 和孝(住友電気工業)

著者名(英語): Kazutaka Inoue(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

キーワード: 窒化ガリウム|高移動度トランジスタ|マイクロ波|基地局|高効率|高出力|GaN|HEMT|microwave|base station|high efficiency|high power

要約(日本語): 高電子速度と高い耐破壊耐圧を有する窒化ガリウム(GaN)を使ったトランジスタ(GaN HEMT)は，無線通信分野で注目を集めてきた．近年のスマートフォンの急速な普及を受けて敷設が進む基地局アンプ，及び高出力マイクロ波レーダーはGaNの特長を発揮できる代表的なアプリケーションである．本講演では，無線通信GaN HEMTの概要と，基地局アンプの高効率化に向けた素子・回路両面での検討，熱設計を考慮した超高出力レーダー素子開発について報告する．

要約(英語): Gallium Nitride has attracted microwave power amplifier designers because of its excellent properties of high saturation velocity and high breakdown voltage. Mobile base stations and high power microwave radars are the primary applications of GaN HEMTs. This paper describes the outline of GaN HEMT for wireless communications and the study of efficiency improvement of mobile base station amplifiers and high power radar devices.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,133 Kバイト