Ａｕサブコレクタを用いたＩｎＰ系マルチフィンガーＤＨＢＴの自己発熱効果低減に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17050

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2017/03/10

タイトル(英語): Reduced self-heating effects in InP-based multi-finger DHBTs with Au subcollector

著者名: 白鳥 悠太(日本電信電話),星 拓也(日本電信電話),柏尾 典秀(日本電信電話),栗島 賢二(日本電信電話),日暮 栄治(東京大学),松崎 秀昭(日本電信電話)

著者名(英語): Yuta Shiratori(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Takuya Hoshi(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Norihide Kashio(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Kenji Kurishima(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Eiji Higurashi(The University of Tokyo),Hideaki Matsuzaki(Nippon Telegraph and Telephone Corporation)

キーワード: インジウムリン|ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ|マルチフィンガー|Ａｕサブコレクタ|自己発熱効果|基板接合|InP|DHBT|Multi finger|Au subcollector|Self heating|Wafer bonding

要約(日本語): InP系マルチフィンガーDHBTは高速化・高出力化に有利な一方で、発熱密度が増加するために自己発熱効果の抑制が課題である。そこで、我々は基板接合技術を用いてAuサブコレクタ上にマルチフィンガーDHBTを作製することで、放熱性の改善を試みた。試作したDHBTでは、InP基板上のDHBTと比較して熱抵抗が68%低減する結果が得られ、AuサブコレクタがマルチフィンガーDHBTの高出力化に適した構造であることを確認した。

要約(英語): We fabricated multi-finger InP DHBTs with an Au subcollector using wafer bonding to suppress the self-heating effects. The DHBTs exhibit a 68% reduction of the thermal resistance compared with the conventional ones. The Au subcollector is very useful in increasing the operation speed and the output power of DHBTs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,536 Kバイト