μーＰＣＤ法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17053,SPC17152

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Investigation of Epitaxial Wafer Evaluation Accuracy with Microwave Photoconductivty Decay

著者名: 真辺 航(九州工業大学),附田 正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Wataru Manabe(Kyushu Institute of Technology),Masanori Tsukuda(Green Electronics Research Institute, Kitakyushu),Ichiro omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーデバイス|エピタキシャルウェーハ|キャリアライフタイム|マイクロ波光導電減衰法|ＴＣＡＤシミュレーション|評価精度|Power Device|Epitaxial Wafer|Carrier lifetime|Microwave Photoconductivity Decay|TCAD Simulation|Evaluation Accuracy

要約(日本語): ウェーハのキャリアライフタイムをマイクロ波の反射により計測するμーＰＣＤ法は、パワーデバイス用エピタキシャルウェーハを評価する際の精度に関するガイドラインが構築されていなかった。本研究ではマイクロ波の反射をＴＣＡＤで求めたウェーハ内キャリアのシート抵抗との関係で表すことで、評価精度とエピウェーハの構造との関係を明らかにした。

要約(英語): We discuss applying the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) to measure carrier lifetime of silicon epitaxial wafer. This paper clarified the range of evaluable substrate concentration and thickness by construction of conditional expression and TCAD simulation. The result becomes guideline on evaluation accuracy of epitaxial wafer for power device.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,279 Kバイト