解析モデルを用いたGaNワンチップ変換器における発熱密度の試算

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17054,SPC17153

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Estimation of heat density in GaN-based monolithic converter by using analytical loss model

著者名: 中島 昭(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Akira Nakajima(National Institute of AIST)

キーワード: ＧａＮヘテロ接合電界効果型トランジスタ|パワー集積回路|損失解析モデル|発熱密度|GaN-HEMT|Power integrated circuit|analytical loss model|heat density

要約(日本語): 横型パワー素子として優れた特性を示すGaN-HEMTを集積化させることで、変換器のワンチップ化と、それに伴う高周波スイッチング動作が期待される。一方、RF用GaN-HEMTで報告されているように、高周波化に伴いGaN集積化チップにおける発熱密度の増大が懸念される。本報告では、GaNワンチップ変換器における損失解析モデルを構築し、それを用いた試算結果をもとに放熱技術開発の重要性について議論する。

要約(英語): GaN-HEMTs have attracted as components of high-frequency monolithic power converters. On the other hand, as reported in GaN-HEMTs in RF applications, heat dissipation will be a key issue under high-frequency operation. In this study, we establish an analytical loss model and address the heat dissipation issue in GaN-based monolithic converters.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,281 Kバイト