SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17055,SPC17154

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Evaluation of the trade-off between specific on-resistance and short-circuit ruggedness of SiC-MOSFETs

著者名: 大嶋 俊之(東芝),池田 健太郎(東芝),大橋 輝之(東芝),飯島 良介(東芝),高尾 和人(東芝)

著者名(英語): Toshiyuki Oshima(TOSHIBA CORPORATION),Kentaro Ikeda(TOSHIBA CORPORATION),Teruyuki Ohashi(TOSHIBA CORPORATION),Ryosuke Ijima(TOSHIBA CORPORATION),Kazuto Takao(TOSHIBA CORPORATION)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|短絡耐量|SiC|MOSFET|Short-CIrcuit ruggedness

要約(日本語): 低損失、高速スイッチングデバイスとして期待されるＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴにおいて、短絡耐量が信頼性課題のひとつとして残されている。_x000D_ 我々は、９００～１７００Ｖ耐圧クラスのＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴに対し、系統的に短絡耐量を評価し、短絡耐量と特性オン抵抗の間に成立する普遍的なトレードオフ関係を抽出した。さらに、短絡耐量と特性オン抵抗の関係性をモデル化し、短絡耐量を決めているデバイス内部のパラメタを明らにした。_x000D_

要約(英語): Short-circuit ruggedness is one of the remaining reliability issue in SiC-MOSFETs. Short-circuit capabilities of 1.2-1.7kV class SiC-MOSFET are evaluated experimentally and a universal trade-off between the specific on-resistance and short-circuit capabilities are extracted. A simple analytical model has been proposed to explain the relationship. In addition, a device parameter affecting the short-circuit capabilities is identified._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,063 Kバイト