高速駆動SiC-MOSFETの並列接続に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17057,SPC17156

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Verification of parallel connected SiC-MOSFETs operated at high switching speed

著者名: 石川 清太郎(筑波大学),磯部 高範(筑波大学),只野 博(筑波大学)

著者名(英語): Seitarou Ishikawa(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba),Hiroshi Tadano(Unoversity of Tsukuba)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|並列接続|寄生インダクタ|ボディーダイオード|電流|高速駆動|SiC-MOSFET|parallel connection|residual inductor|body-diode|current|high speed driving

要約(日本語): 大電力変換装置開発のためには、SiC-MOSFETを複数並列接続する必要がある。また、SiCの高速駆動の特徴を生かすためには、回路の寄生インダクタの値を最小化する必要がある。インバータ等において並列接続SiC-MOSFETの内蔵ダイオードがデッドタイム中に動作する場合、寄生インダクタンス値のばらつきの比率が高速駆動の電流アンバランスに影響を与えることを、実験とシミュレーションより明らかにした。

要約(英語): Current unbalance phenomenon was studied in case of parallel connected SiC-MOSFETs at high speed switching. Current unbalance was affected with residual inductance ratio connected with each devices during body diode conduction mode. This phenomenon was verified with experiments and simulations.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,477 Kバイト