並列接続SiC-MOSFETの連続動作におけるジャンクション温度解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17058,SPC17157

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Junction-Temperature Analysis of Parallel-Connected SiC-MOSFETs under Continuous Operation

著者名: 昆野 賢太郎(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),西沢 昭則(三菱電機)

著者名(英語): Kentaro Konno(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Akinori Nishizawa(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: 電気・熱連成解析|並列接続|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモデル|Electro-thermal simulation|Parallel connection|SiC-MOSFET model

要約(日本語): 本研究では，温度特性を有するSiC-MOSFETデバイスモデル用いて電気・熱連成解析を行った。2個並列接続した昇圧チョッパ回路において，素子のばらつきにより閾値電圧差を有する場合，素子間に生じるジャンクション温度を評価した。キャリア周波数を20 kHz~200 kHzに変化させた場合，温度差が約1～8℃生じた。このように高精度なデバイスモデルを用いた電気・熱連成解析により，各MOSFETの接合温度の評価が可能である。

要約(英語): This paper describes junction temperature simulation of the two SiC-MOSFETs connected in parallel in a boost chopper circuit. The temperature differences between the two SiC-MOSFETs are estimated up to 8?C for switching frequencies of 20 to 200 kHz. These results indicate the promising potential of this model for electro-thermal analysis of the parallel operation of SiC-MOSFETs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,882 Kバイト