SiCパワーMOSFETのMHzスイッチング向けゲートドライバの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17059,SPC17158

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): A Study of MHz-Switching Gate Driver for SiC Power MOSFETs

著者名: 稲森 奨(京都工芸繊維大学),古田 潤(京都工芸繊維大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Sho Inamori(Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta(Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|ゲートドライバ|車載用途|Silicon Carbide|MOSFET|Gate driver|Automotive application

要約(日本語): 本研究では、SiCパワーMOSFETのMHz駆動に向けたゲートドライバを提案する。_x000D_ 提案型のゲートドライバはインダクタを用いており、インダクタがスイッチング時に電流源として動作することで、パワーMOSFETの内部ゲート抵抗の影響を無視して高速に駆動する。_x000D_ ダブルパルス試験により従来型との性能比較を行った。_x000D_ 提案型が高速に動作し、スイッチング時間toff、tonはそれぞれ従来型より17%、35%短い。

要約(英語): In this paper a MHz-switching gate driver for SiC power MOSFETs is proposed._x000D_ The proposed gate driver can drive SiC power MOSFET cancelling out the influence of the internal gate resistance of SiC power MOSFET because an inductor operates as a current source during switching transient._x000D_ Compared with a conventional gate driver, the proposed gate driver reduces switching time toff and ton by 17 % and 35 % respectively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,425 Kバイト