多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイッチング特性に関する一検討 -モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17060,SPC17159

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): A Study on Switching Characteristics for Lowered Parasitic Inductance of SiC Half-Bridge Module with Multi-Layered Ceramic Substrate -An Experimental Approach on Embedded Snubber Capacitor Optimization-

著者名: 福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shuhei Fukunaga(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: ＳｉＣパワーモジュール|多層セラミック基板|Ｃスナバ|ＭＬＣＣ|滑降シンプレックス法|最適設計|SiC power module|Multi-layered ceramic substrate|C snubber|MLCC|downhill simplex method|optimal design

要約(日本語): 高電圧の電力変換回路にSiCパワーデバイスを適用することで高速スイッチング動作が可能となり、小型化や損失低減が期待される。本研究では高速スイッチング時に生じるピークサージ電圧を低減するため、低寄生インダクタンス化を目的とした多層セラミック基板を用いたSiCハーフブリッジモジュールを開発し、開発したモジュールに直接スナバコンデンサを実装してピークサージ電圧を低減した。本紙では開発したモジュールの寄生成分を滑降シンプレックス法により抽出した。さらに同定した回路パラメータによる動特性のモデルを用いて、ピークサー

要約(英語): SiC power device can be operated with higher switching speed than Si power device, which makes power conversion system smaller and more efficient. This work developed Multi-Layered Ceramic Substrate for fast switching operation of SiC power devices with reducing parasitic inductance and suppressed switching surge voltage. The parasitic component were identified from the experimental result with downhill simplex method. The optimum capacitance of the embedded snubber capacitor in the power module to minimize switching surge voltage and snubber loss is experimentally assessed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,126 Kバイト