厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFET高周波インバータの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17061,SPC17160

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Development of an SiC-MOSFET High Frequency Inverter Using Multilayer Printed Circuit Board with Thick Copper Layers

著者名: 石川 光亮(北海道大学),小笠原 悟司(北海道大学),竹本 真紹(北海道大学),折川 幸司(北海道大学)

著者名(英語): Kohsuke Ishikawa(Hokkaido University),Satoshi Ogasawara(Hokkaido University),Masatsugu Takemoto(Hokkaido University),Koji Orikawa(Hokkaido University)

キーワード: 高周波インバータ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|厚銅多層基板|配線インダクタンス|ＰＣＢ設計|High frequency inverter|SiC-MOSFET|Multilayer printed circuit board with thick copper layers|Stray inductance|PCB design

要約(日本語): 本稿は，電力変換器の特性に大きな影響を及ぼす配線インダクタンスを低減する厚銅多層基板を用いたインバータの構成と主回路パターンの設計について述べる。設計指針は，簡単なパターン形状において3D-FEMを用いた解析から導出した。インピーダンス測定から，設計した主回路がデバイスと同等程度のインダクタンスを有していることを確認した。また，実験結果から試作インバータにおいて高速スイッチングとサージの低減を実現した。

要約(英語): This paper reports development of high frequency inverter using multilayer printed circuit board with thick copper layers. The design guideline for main circuit pattern of the inverter is discussed by 3D-FEM to realize low stray inductance. In experiment, the prototype inverter (10 kVA) achieves high speed switching and reduction of surge voltage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,786 Kバイト