汎用ゲートドライバICを利用したパワーMOSFETの3レベルアクティブゲート駆動回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17069,SPC17168

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): A Three-level Active Gate Drive Circuit for Power MOSFETs Utilizing a Generic Gate Driver IC

著者名: 大石 一輝(京都大学),新谷 道広(奈良先端科学技術大学院大学),廣本 正之(京都大学),佐藤 高史(京都大学)

著者名(英語): Kazuki Oishi(Kyoto University),Michihiro Shintani(Nara Institute of Science and Technology),Masayuki Hiromoto(Kyoto University),Takashi Sato(Kyoto University)

キーワード: ゲートドライバ|パワーＭＯＳＦＥＴ|電圧オーバーシュート|スイッチング損失|gate driver|power MOSFET|voltage overshoot|switching loss

要約(日本語): MOSFETスイッチング時のスイッチング損失とオーバーシュート電圧を，市販ゲートドライバICを用いたアクティブゲート駆動により改善する回路方式を提案する．市販ICを活用することでゲートドライバの設計および実装にかかるコストを抑えることができる．また，ドレイン電圧のフィードバックでタイミングを制御することにより，外部からの制御信号を必要とせずにアクティブゲート駆動が可能であることを示す．

要約(英語): This paper proposes an active gate drive circuit using a commercial gate driver IC. The gate drive circuit reduces the MOSFET turn-off switching loss and the overshoot voltage. By feedback of the drain-source voltage, no additional control lines are required for the proposed circuit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,253 Kバイト