回路の寄生成分がSJ-MOSFETのスイッチング波形に与える影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17081,SPC17180

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): The influence caused by the parasitic elements in the circuit on the switching waveform of Superjunction MOSFETs

著者名: 新井 大輔(新電元工業),久田 茂(新電元工業),山地 瑞枝(新電元工業),九里 伸治(新電元工業)

著者名(英語): Daisuke Arai(Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.),Shigeru Hisada(Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.),Mizue Yamaji(Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.),Shinji Kunori(Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.)

キーワード: スーパージャンクション|パワーＭＯＳＦＥＴ|スイッチング波形|寄生インダクタンス|還流ダイオード|接合容量|superjunction|power mosfet|switching waveform|parasitic inductance|freewheel diode|junction capacitance

要約(日本語): SJ-MOSのスイッチング波形が、デバイス内部のチャージバランスの影響を受けて変動することを昨年報告した。しかし、回路の寄生成分(容量・インダクタンス)も、スイッチング波形に強い影響を与えることが分かった。たとえば、FWDの接合容量の大きさがSJ-MOSのターンオフ波形を変動させる。また、SJはスイッチング速度が速いので、寄生インダクタンスに生じる誘導起電力が大きく、波形に影響を与えやすい。このような解析を報告する。

要約(英語): The switching waveform of Superjunction MOSFET is much influenced by parasitic elements in the circuit. We will report the change of the switching waveform caused by the junction capacitance in the FWD or parasitic inductance in the wire.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,611 Kバイト