IGBTのフローティングP層の電位がターンオン時のdI/dtの制御性に与える影響について

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17083,SPC17182

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Study of the electrostatic potential of the floating-p region during the turn-on period of IGBT

著者名: 伊倉 巧裕(富士電機),小野澤 勇一(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Yoshihiro Ikura(Fuji Electric),Yuichi Onozawa(Fuji Electric),Akio Nakagawa(NAKAGAWA Consulting Office)

キーワード: ＩＧＢＴ|フローティングＰ層|ターンオン|制御性|ノイズ|過渡解析|IGBT|Floating P|Turn on|Controllability|Noise|Transient analysis

要約(日本語): IGBTのフローティングP層の電位Vfpがターンオン時のdI/dtの制御性にどのように影響するかをTCADシミュレーションにより検証した。ターンオン前の初期のVfpが高いほどdI/dtの制御性は向上した。また、初期のVfpを決めるメカニズムを検討した。Vfpはトレンチゲート周辺にホールが溜まりフローティングP層とエミッタ電位のｐベース層をつなげるチャネルができる閾値電圧で決まると推察される。

要約(英語): The influence of the initial potential of the floating-p region, Vfp, on the controllability over the turn-on dIc/dt is studied using TCAD simulation. The controllability becomes better as the initial Vfp increases. And the mechanism that determines the initial Vfp is also analyzed. A hypothesis is set up that the initial Vfp is equal to the threshold voltage of the P-channel MOSFET around the trench gate.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,573 Kバイト