低スイッチング損失と低ノイズを実現するホールパス構造IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17084,SPC17183

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Hole Path IGBT with Low Switching Loss and Low dv/dt Noise

著者名: 大井 幸多(富士電機),桜井 洋輔(富士電機),伊倉 巧裕(富士電機),澤田 睦美(富士電機),小野澤 勇一(富士電機),山崎 智幸(富士電機),鍋谷 暢一(山梨大学)

著者名(英語): Kota Ohi(Fuji Electric Co., Ltd.),Yosuke Sakurai(Fuji Electric Co., Ltd.),Yoshihiro Ikura(Fuji Electric Co., Ltd.),Mutsumi Sawada(Fuji Electric Co., Ltd.),Yuichi Onozawa(Fuji Electric Co., Ltd.),Tomoyuki Yamazaki(Fuji Electric Co., Ltd.),Yoichi Nabetani(U

キーワード: ホールパス構造|ＩＥ効果|ミラー容量|逆回復ｄＶ／ｄｔ制御性|ターンオフ損失|Hole path structure|IE effect|Miller capacitance|FWD reverse recovery dv/d controllability|Turn-off loss

要約(日本語): ホールパス構造IGBTは、フローティングp領域にエミッタ電位に落としたトレンチで挟んだホールの引き抜き領域を形成することにより、高いIE効果を維持しつつ、優れた逆回復dv/dt制御性（低ノイズ）を実現した。また従来のマイクロpベース構造と比較して、同じターンオフ損失において、オン電圧を約0.4V低減させることができ、その結果、ターンオフ損失とオン電圧のトレードオフを大幅に改善した。

要約(英語): The hole path IGBT which is utilized narrow hole extraction regions in floating p-region can realize a better reverse recovery dv/dt controllability with high IE effect. In addition, the trade-off relationship between the on-state voltage drop and the turn-off power dissipation has been improved compared to the Micro-P based structure.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,577 Kバイト