ストリークカメラによるIGBTのアバランシェ発光解析手法の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17085,SPC17184

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Direct Photo Emission Monitoring for Analysis of IGBT Destruction Mechanism using Streak Camera

著者名: 末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ),小倉 常雄(東芝デバイス＆ストレージ),遠藤 幸一(東芝デバイス＆ストレージ),松本 徹(浜松ホトニクス),内山 公朗(浜松ホトニクス),新倉 史智(浜松ホトニクス),越川 一成(浜松ホトニクス)

著者名(英語): Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation),tsuneo Ogura(Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation),Koichi Endo(Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation),Toru Matsumoto(Hamamatsu Photonics K.K.),Koro Uchiyama(Ham

キーワード: アバランシェ現象|フォトエミッション|ストリークカメラ|ＩＧＢＴ|耐量|信頼性|avalanche operation|photo emission|streak camera|IGBT|ruggedness|reliability

要約(日本語): パワー素子の破壊解析において、最終破壊箇所の観察のみでは真の破壊原因が掴めず破壊対策につなげることが困難である。そこで素子動作解析（空間分布の時間変化）の観測が重要になる。アバランシェによる発光をリアルタイムでチップ表面からの2次元視野、およびチップ側面からの1次元視野で直接観測することに成功したため、手法の紹介と破壊時発光解析の重要性を紹介する。

要約(英語): This paper proposes a direct photo emission monitoring during avalanche operation for IGBTs using a streak camera. To enhance reliability, it is important to investigate avalanche phenomenon of IGBTs, directly. During avalanche operation, it is well known that visible light is emitted from the device. This is the study to succeed in observing photo emission directly from avalanche phenomena under UIS condition of IGBTs. We have also measured moving emission region in edge termination area.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,432 Kバイト