新規縦構造を用いたソフトリカバリー性と高いダイナミックな耐久性を併せ持つRFC diode

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD17086,SPC17185

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2017/11/20

タイトル(英語): Advanced RFC diode utilizing a Novel Vertical Structure for Softness and High Dynamic Ruggedness

著者名: 中村 勝光(三菱電機),清水 和宏(三菱電機)

著者名(英語): Katsumi Nakamura(Mitsubishi Electric Corporation, Power Device Works),Kazuhiro Shimizu(Mitsubishi Electric Corporation, Power Device Works)

キーワード: ＲＦＣ|ＬＰＴ（ＩＩ）|ＣＰＬ|ソフトリカバリー性|ダイナミックな耐久性|キャリア再結合|RFC|LPT(II)|CPL|recovery softness|dynamic ruggedness|carrier recombination

要約(日本語): 本論文では、Relaxed Field of Cathode (RFC) diodeの性能向上のため縦方向シュリンク技術として、新規縦構造を提案する。提案する縦構造は、Light Punch-Through (LPT ) (II)とControlling Charge-Carrier Plasma Layer (CPL)領域から成る構造である。CPL領域は、diodeのリカバリー動作時に蓄積キャリアプラズマ層を制御し、電界強度の勾配を緩やかにする作用がある。その上、この領域には2つのホールトラップとなる準

要約(英語): In this paper, a novel vertical structure as vertical shrinking technology to improve the performance of RFC diode is presented. The proposed vertical one consists of Light Punch-Through (LPT ) (II) and Controlling Charge-Carrier Plasma Layer (CPL) zone. The CPL plays an important role in controlling the charge carrier plasma layer to form the moderate gradient of the electric field during the recovery operation. Moreover, there are two hole trap levels in this region, which are responsible for the enhanced carrier recombination during tough recovery operation and enables high turn-off capability. The RFC diode utilized the proposed vertical structure achieves a superior softness and a high dynamic ruggedness with a low total loss by vertical shrinkage.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,493 Kバイト