AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETによる高速スイッチング動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18032

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/26

タイトル(英語): Fast Switching Performance by AlON/AlGaN/GaN MIS-HFETs

著者名: 中澤 敏志(パナソニック),施 泓安(パナソニック),鶴見 直大(パナソニック),按田 義治(パナソニック),初田 次康(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),野﨑 幹人(大阪大学),山田 高寛(大阪大学),細井 卓治(大阪大学),志村 考功(大阪大学),渡部 平司(大阪大学),橋詰 保(北海道大学)

著者名(英語): Satoshi Nakazawa(Panasonic Corporation),Hong-An Shih(Panasonic Corporation),Naohiro Tsurumi(Panasonic Corporation),Yoshiharu Anda(Panasonic Corporation),Tsuguyasu Hatsuda(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Mikito Nozaki(Osaka University),Takahiro Yamada(Osaka University),Takuji Hosoi(Osaka University),Takayoshi Shimura(Osaka University),Heiji Watanabe(Osaka University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University)

要約(日本語): ゲート絶縁膜にAlONを用いた、AlGaN/GaN MIS-HFETによる大電流高速スイッチング動作について報告する。AlONおよび再成長により形成したゲートリセス構造を適用し、GaN系MISデバイスの課題であるヒステリシスを抑制した。作製したデバイスの最大電流は20A、耐圧は730Vである。このデバイスを用いた10A/400Vでのスイッチング特性評価ではナノ秒オーダーのスイッチング動作を確認した。

要約(英語): A normally-off AlGaN/GaN MIS-HFET, exhibiting a hysteresis-free transfer characteristic by applying AlON as the gate insulator, is demonstrated. The fabricated 20 A/ 730 V MIS-HFET demonstrates a fast switching performance with a switching time in nanoseconds, indicating that the presented MIS-HFETs are promising for practical power switching applications.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,059 Kバイト