大電流パワーデバイスに向けた高均一性と低欠陥を実現する高品質SiCエピタキシャル成長技術について

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/26

タイトル(英語): High quality SiC Epitaxial growth technology with high uniformity and low crystal defects for power devices

著者名: 和田 圭司(住友電気工業),宮瀬 貴也(住友電気工業),寺尾 岳見(住友電気工業),古米 正樹(住友電気工業),田辺 達也(住友電気工業)

著者名(英語): Keiji Wada(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Takaya Miyase(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Takemi Terao(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Masaki Furumai(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Tatsuya Tanabe(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

キーワード: シリコンカーバイド|エピタキシャル成長|欠陥|転位|不純物濃度均一性|Silicon Carbide|Epitaxial growth|Defect|Dislocation|Doping uniformity

要約(日本語): SiCデバイスの実用化進展に向けて重要な高品質SiCエピタキシャル成長技術について報告する。シミュレーション解析も活用し、6インチ多数枚同時成長における高均一性と低結晶欠陥を実現したSiCエピタキシャル成長技術について報告する。

要約(英語): High quality epitaxial growth of 4H-SiC on 150 mm wafer has been developed using experimental results and numerical simulations toward the goal of excellent uniformity and low defects. Through the growth condition optimization, high quality epitaxial layer with an excellent uniformity and a low defect density have been demonstrated.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,378 Kバイト