化学的気相堆積法を用いたSiCトレンチ埋込みのトポグラフィー・シミュレーション

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18035

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/26

タイトル(英語): Topography Simulation of SiC-Chemical-Vapor-Deposition Trench Filling

著者名: 望月 和浩(産業技術総合研究所),紀 世陽(産業技術総合研究所),小杉 亮治(産業技術総合研究所),米澤 喜幸(産業技術総合研究所),奥村 元(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuhiro Mochizuki(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shiyang Ji(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Ryoji Kosugi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yoshiyuki Yonezawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hajime Okumura(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 化学的気相堆積|ＳｉＣ|トレンチ埋込み|トポグラフィー|シミュレーション|ギブスートムソン効果|chemical vapor deposition|SiC|trench filling|topography|simulation|Gibbs?Thomson effect

要約(日本語): 化学的気相堆積法を用いたSiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込みをシミュレーションするため、トポグラフィー・シミュレーション・モデルを提案した。ボイド形成やメサ・オーバーエッチングに係る実験結果は、成長種の気相平衡濃度に対する成長表面の曲率を考慮したギブスートムソン効果を含めることにより再現できた。

要約(英語): A topography-simulation model was proposed to simulate chemical-vapor-deposition trench filling for SiC superjunction devices. Experimental observations, concerning void formation and mesa overetching, were reproduced by including the Gibbs?Thomson effect (i.e., the effect of curvature of a growing surface on equilibrium vapor-phase concentration of growing species).

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,309 Kバイト