4H-SiC MOS反転層におけるキャリア散乱機構の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/26

タイトル(英語): Evaluation of carrier transport properties in 4H-SiC MOS inversion layer

著者名: 野口 宗隆(三菱電機),岩松 俊明(三菱電機),網城 啓之(三菱電機),渡邊 寛(三菱電機),喜多 浩之(東京大学),山川 聡(三菱電機)

著者名(英語): Munetaka Noguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Toshiaki Iwamatsu(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroyuki Amishiro(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroshi Watanabe(Mitsubishi Electric Corporation),Koji Kita(The University of Tokyo),Satoshi Yamakawa(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＳｉＣ|移動度|反転層|SiC|mobility|inversion layer

要約(日本語): SiC MOSFETの反転層移動度はクーロン散乱の影響が強く、従来は、フォノン散乱および界面ラフネス散乱の影響を実験的に評価することは困難であった。本研究では、アクセプタ濃度を低減することでクーロン散乱の影響を抑制し、フォノン散乱移動度の評価を行った。その結果に基づき、反転層におけるキャリア散乱機構を実験的に評価した。界面ラフネス散乱の影響はわずかで、従来のSiC MOSFETの移動度モデルではラフネスの影響を過大評価していることが判明した。

要約(英語): Intrinsic phonon-limited mobility in the 4H-SiC MOSFET was evaluated by suppressing Coulomb scattering in inversion layer. Carrier transport properties in inversion layer were evaluated based on this result. The surface roughness scattering was found to have little effect on inversion layer mobility in high effective normal field. This means that the surface roughness scattering has been overestimated in conventional mobility models of the SiC MOSFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,278 Kバイト