ダブルリセス構造を有するノーマリオフ型 AlGaN-GaN MOSFETのDIBL特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/27

タイトル(英語): Drain-induced barrier lowering (DIBL) characteristics in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs with double-recess overlapped gate structure

著者名: 佐藤 拓(アドバンテスト研究所),瓜生 和也(アドバンテスト研究所),岡安 潤一(アドバンテスト研究所),君島 正幸(アドバンテスト研究所),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Taku Sato(Advantest Laboratories Ltd),Kazuya Uryu(Advantest Laboratories Ltd),Junichi Okayasu(Advantest Laboratories Ltd),Masayuki Kimishima(Advantest Laboratories Ltd),Toshikazu Suzuki(Japan advanced institute of science and technology )

キーワード: ＧａＮ|ノーマリオフ|ゲートリセス|オーバーラップゲート|ドレイン誘起障壁低下|電流コラプス|GaN|normally off|gate recess|overlapped gate|drain induced barrier lowering|current collapse

要約(日本語): ダブルリセスオーバーラップゲート電極構造有するノーマリオフ型AlGaN-GaN MOSFETのDIBLについて調べた. 同構造は, 完全リセスされた局所FET1と部分リセスされた局所FET2が縦接続された構造となっている. 局所FET1はFET全体の閾値電圧を決定するが, 局所FET1の実効ドレイン電圧は最大でも局所FET間の閾値電圧差程度に抑制される. その結果,ドレイン誘起障壁低下が効果的に抑制される. さらに同構造は電流コラプス抑制にも効果がある.

要約(英語): We investigated drain-induced barrier lowering (DIBL) in normally-off AlGaN-GaN MOSFETs with double-recess overlapped gate structure. This structure consists of a local FET1 having a short-length and deep recess, and a local FET2 having a long-length and shallow recess. The local FET1 determines the entire threshold voltage and the effective drain voltage of local FET1 is suppressed to about the threshold difference between the local FETs. As a result, the double-recess overlapped gate structure can effectively suppress the drain-induced barrier lowering. In addition, this gate structure is also bene cial for current collapse suppression.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,040 Kバイト