ワンフィンガー大信号モデルを用いて設計した20W級Ka 帯GaN MMIC 高出力増幅器

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/27

タイトル(英語): 20W Ka-band GaN MMIC High Power Amplifier Designed by Using One-finger Large-signal Model

著者名: 山口 裕太郎(三菱電機),半谷 政毅(三菱電機),新庄 真太郎(三菱電機),山中 宏治(三菱電機)

著者名(英語): Yutaro Yamaguchi(Mitsubishi Electric corporation),Masatake Hangai(Mitsubishi Electric corporation),Shintaro Shinjo(Mitsubishi Electric corporation),Koji Yamanaka(Mitsubishi Electric corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|増幅器|Ｋａ帯|GaN|Amplifier|Ka-band

要約(日本語): ワンフィンガー大信号モデルを用いて設計した20W級Ka帯GaNMMIC増幅器を報告する．CW動作の増幅器で最大出力電力が得られるようにRFゲート電圧定在波位相差と自己発熱の両方を考慮したワンフィンガー大信号モデルを用いてゲートピッチを最適化設計した．試作した結果，シングルエンドMMICとしてKa帯でCW動作21.7Ｗ,出力電力19.8%を得た．

要約(英語): This paper reports a 20 W Ka-band GaN high power MMIC amplifier. The one-finger large signal models were made to take account of both the phase difference of RF gate voltage at a gate feeder and thermal effect. By using this model, the gate pitch length of unit cell transistor was optimally designed to obtain maximum output power as MMIC amplifier under CW operation. As a result, 21.7W output power under CW operation was successfully achieved with power added efficiency (PAE) of 19.8% at Ka-band.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,442 Kバイト