ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/27

タイトル(英語): Research and development of electron devices for millimeter- and terahertz-wave wireless communications

著者名: 渡邊 一世(情報通信研究機構),山下 良美(情報通信研究機構),遠藤 聡(情報通信研究機構),原 紳介(情報通信研究機構),笠松 章史(情報通信研究機構),吉田 智洋(住友電気工業),井上 和孝(住友電気工業),中田 健(住友電気工業),眞壁 勇夫(住友電気工業),磯野 恭佑(東京理科大学),岡 直希(東京理科大学),原田 義彬(東京理科大学),竹内 淳(東京理科大学),町田 龍人(東京理科大学),藤代 博記(東京理科大学)

著者名(英語): Issei Watanabe(National Institute of Information and Communications Technology (NICT)),Yoshimi Yamashita(National Institute of Information and Communications Technology (NICT)),Akira Endoh(National Institute of Information and Communications Technology (NICT)),Shinsuke Hara(National Institute of Information and Communications Technology (NICT)),Akifumi Kasamatsu(National Institute of Information and Communications Technology (NICT)),Tomohiro Yoshida(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Kazutaka Inoue(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Ken Nakata(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Isao Makabe(Sumitomo Electric Industries, Ltd.),Kyousuke Isono(Tokyo University of Science),Naoki Oka(Tokyo University of Science),Yoshiaki Harada(Tokyo University of Science),Jun Takeuchi(Tokyo University of Science),Ryuto Machida(Tokyo University of Science),Hiroki Fujishiro(Tokyo University of Science)

キーワード: 窒化ガリウム系ＨＥＭＴ|インジウム・アンチモン系ＨＥＭＴ|相互コンダクタンス（ｇｍ）|遮断周波数（ｆＴ）|最大発振周波数（ｆｍａｘ）|GaN-based HEMTs|InSb-based HEMTs|transconductance (gm)|cutoff frequency (fT)|maximum oscillation frequency (fmax)

要約(日本語): 我々は未だ十分に利活用が進んでいないミリ波・テラヘルツ波周波数帯（30 GHz - 3 THz）の電波資源拡大および有効活用技術の確立を目的に、これら周波数帯を使用する将来の超高速無線通信に必要な電子デバイスの研究開発を進めている。本論文では、窒化ガリウム（GaN）およびインジウム・アンチモン（InSb）ヘテロエピタキシャル結晶を用いて、100 nm以下のゲート長を有する高電子移動度トランジスタ（HEMT）を試作し、これらHEMTのDCおよび高周波特性を測定・評価したので報告する。

要約(英語): We have been developing various compound semiconductor electron devices not only for future ultra-high-speed wireless communications but also expansion of radio spectrum sources in millimeter- and terahertz-wave frequency bands (30 GHz - 3 THz). In this paper, we improved transconductance (gm), cutoff frequency (fT) and maximum oscillation frequency (fmax) of GaN and InSb-based high electron mobility transistors (HEMTs) with nanoscale gates (Lg < 100 nm).

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,472 Kバイト