GaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFETの低温測定による評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/27

タイトル(英語): Evaluation of GaAsSb / InGaAs vertical double gate tunnel FET by low temperature measurement

著者名: 木瀬 信和(東京工業大学),青沼 遼介(東京工業大学),宮本 恭幸(東京工業大学)

著者名(英語): Nobukazu Kise(Tokyo Institute of Technology),Ryosuke Aonuma(Tokyo Institute of Technology),Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ|トンネルＦＥＴ|低温ＩＶ測定|サーマルアシストトンネリング|バンドテイル|ダブルゲートＦＥＴ|GaAsSb / InGaAs|tunnel FET|low temperature IV measurement|thermal assist tunneling|band tail|double gate FET

要約(日本語): GaAsSb/InGaAs縦型ダブルゲートトンネルFETは、急峻なサブスッショルド特性と高いオン電流を同時に持つ可能性が持つが、実際に作製したトンネルFETでは、通常のサブスレッショルド特性の限界である60mV/decを下回る特性は観測されていない。本研究では、作製したFETの低温I-V測定から、作製法によるサーマルアシストトンネリング成分低減の確認、及びバンドテイルによる寄与分の評価を行った。

要約(英語): The GaAsSb / InGaAs vertical type double gate tunnel FET has the possibility to realize a steep sub-shot characteristic and a high on-current simultaneously. However, observed sub-threshold slope was larger than 60 mV/dec. In this study, from low temperature IV measurement, reduction of thermal assist tunneling component was confirmed by the change of fabrication process. Moreover, evaluation of band tail effect was confirmed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,226 Kバイト