InP-HEMT ICを用いた高速THz波帯誘電率測定システム

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2018/03/27

タイトル(英語): High-speed THz Permittivity Measurement System using InP-HEMT IC

著者名: 徐 照男(NTT先端集積デバイス研究所),濱田 裕史(NTT先端集積デバイス研究所),松崎 秀昭(NTT先端集積デバイス研究所),野坂 秀之(NTT先端集積デバイス研究所)

著者名(英語): Teruo Jyo(NTT Device Technology Laboratories),Hiroshi Hamada(NTT Device Technology Laboratories),Hideaki Matsuzaki(NTT Device Technology Laboratories),Hideyuki Nosaka(NTT Device Technology Laboratories)

キーワード: テラヘルツ|位相測定|誘電率測定|ヘテロダイン|２周波ＣＷ|Terahertz|phase measurement|permittivity measurement|self-heterodyne|2-tone CW

要約(日本語): 本研究ではInP-HEMT ICを用いた高速なTHz誘電率測定システムを提案する。送信機ではInP-HEMTプロセスで作製したミキサを用いて2周波信号を生成し送信する。受信機ではダイオードを用いて2周波の位相差情報を持ったビート波を生成しその位相から誘電率を計算する。従来の単周波掃引方式を用いた誘電率測定システムと比べて周波数切り替え時のセトリング時間が必要なくなり、測定時間を従来の1/200以下に削減可能であることを実証した。

要約(英語): A fast permittivity measurement system using InP-HEMT IC at the terahertz wave band is proposed. At a transmitter a 2-tone signal is generated by a mixer fabricated in the InP-HEMT process. At a receiver a beat signal with the phase difference of the 2-tone signal is generated by a diode and the permittivity is calculated. The proposed system reduced the settling time which is required in the conventional system, and achieved a measurement time of 0.03 ms, which is 1/200 compared to the conventional system.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,210 Kバイト