超低損失酸化ガリウムトレンチMOS型ショットキーダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18049,SPC18143

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): Ultra-Low-Loss Gallium Oxide Trench MOS-Type Schottky Diodes

著者名: 佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー),ティユ クァン トゥ(ノベルクリスタルテクノロジー),脇本 大樹(ノベルクリスタルテクノロジー),高塚 章夫(ノベルクリスタルテクノロジー),倉又 朗人(ノベルクリスタルテクノロジー),山腰 茂伸(ノベルクリスタルテクノロジー)

著者名(英語): Kohei Sasaki(Novel Crystal Technology),QuangTu Thieu(Novel Crystal Technology),Daiki Wakimoto(Novel Crystal Technology),Akio Takatsuka(Novel Crystal Technology),Akito Kuramata(Novel Crystal Technology),Shigenobu Yamakoshi(Novel Crystal Technology)

キーワード: 酸化ガリウム|トレンチ|ショットキー|ダイオード|酸化ハフニウム|順方向電圧|Gallium oxide|Trench|Schottky|Diode|Hafnium oxide|Forward voltage

要約(日本語): 酸化ガリウムは、その材料物性と量産性の点から、次世代のパワーデバイス材料として注目されている。本研究では、酸化ガリウムを用いたトレンチMOS型ショットキーダイオードを試作した。試作したデバイスは、市販されているSiC製ショットキーダイオードと同等程度の低い逆方向リーク特性を維持したまま、順方向電圧を最大で40%程度低減することに成功した。

要約(英語): Ga2O3 is a suitable material for next-generation high-power devices because it has excellent material properties and mass productivity. In this study, we developed a Ga2O3 trench MOS-type Schottky diodes. The device showed small leakage characteristics similar to the commercially available SiC SBDs, and 40% lower forward voltage than that of the SiC SBDs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,377 Kバイト