All-SiCモジュールの高耐圧化と低インダクタンス化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18050,SPC18144

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): Enhanced Breakdown Voltage and Low Inductance of All-SiC Module

著者名: 堀 元人(富士電機),日向 祐一朗(富士電機),谷口 克己(富士電機),池田 良成(富士電機),山崎 智幸(富士電機)

著者名(英語): Motohito Hori(Fuji Electric Co.,Ltd.),Yuichiro Hinata(Fuji Electric Co.,Ltd.),Katsumi Taniguchi(Fuji Electric Co.,Ltd.),Yoshinari Ikeda(Fuji Electric Co.,Ltd.),Tomoyuki Yamazaki(Fuji Electric Co.,Ltd.)

キーワード: パワーモジュール|ＳｉＣ|高耐圧|Powermodule|SiC|enhanced breakdown voltage

要約(日本語): SiCデバイスは、鉄道などの3kV～10kVの高電圧分野や、ハイブリッド車や電気自動車などの高信頼性分野での使用が期待されています。また、適用範囲を広げるために大電流化も期待されています。SiCモジュールの大電流化に対応した、高耐圧化と低インダクタンスのパッケージング技術を紹介する。

要約(英語): SiC devices are expected to be used in fields that require in high voltage fields from 3kV to 10kV such as railways, and high reliability such as hybrid vehicles and electric vehicles. And it is also expected to realize high current to expand the application range. This paper presents the packaging technologies for enhanced breakdown voltage and low inductance corresponding to high current of All-SiC modules.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,331 Kバイト