3.3 kV級SiC-MOSFETの短絡破壊起点の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18051,SPC18145

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): Analysis of Short-Circuit Break Down Point in 3.3 kV SiC-MOSFETs

著者名: 谷 和樹(日立製作所),坂野 順一(日立製作所),島 明生(日立製作所)

著者名(英語): Kazuki Tani(Hitachi, Ltd.),Jun-ichi Sakano(Hitachi, Ltd.),Akio Shima(Hitachi, Ltd.)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|短絡|SiC|MOSFET|Short-circuit

要約(日本語): パワーデバイスの短絡破壊メカニズムの解析には，短絡破壊を小規模化する試験手法が有効である。本研究では，破壊規模の極小化が可能な新規試験手法を提案した。提案手法を用いて3.3kV級SiC-MOSFETの短絡破壊メカニズムを解析した結果，短絡中の自己発熱により酸化膜の耐圧特性が劣化する事と，短絡電流が最も集中するjFET領域上の酸化膜破壊が破壊起点となるが判った。

要約(英語): We analyzed the short-circuit break-down point in 3.3 kV SiC-MOSFETs using our proposed test method. The proposed method enabled minimization of the break-down scale, and it is concluded that degradation of the gate oxide in the jFET area by joule heating is critical to the short-circuit capability of the SiC-MOSFETs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 962 Kバイト