1200V SiCスーパージャンクションMOSFETの特性予測

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18052,SPC18146

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): Predicted Electrical Characteristics of a new 1200V SiC super-junction(SJ) MOSFET structure

著者名: 北川 光彦(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): mitsuhiko kitagawa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: ＳｉＣ|スーパージャンクション|ＭＯＳＦＥＴ|トレンチ|ＩＧＢＴ|ＩＥＧＴ|SiC|super-junction|MOSFET|trench|IGBT|IEGT

要約(日本語): 本論文では、新しい　1200V SiC スーパージャンクション(SJ）MOSFETの設計コンセプトとTCADを用いた電気特性の予測について述べる。 デバイスモデル（SJ層の厚さ;8μm、SJ層のドーピング濃度; 3e17cm-3、pnピラー幅;0.3μm）の場合、計算されたオン電流密度は、ドレイン電圧0.5Vで2174A / cm2(0.23mΩcm2）。 TCADの計算からは、SiC-SJ構造が、定格電圧1200Vでも有効であるとことが予測される。

要約(英語): In this paper, we describe the design concept of a new 1200 V SiC super junction (SJ) MOSFET and the prediction of electrical characteristics using TCAD. In the case of the device model (SJ layer thickness 8 μm, SJ layer doping concentration 3 e 17 cm -3, pn pillar width 0.3 μm), the calculated on-current density was 2174 A / cm 2 at a drain voltage of 0.5V(=0.23 mΩ cm 2). From the calculation of TCAD, it is predicted that the SiC-SJ structure is effective even at a rated voltage of 1200 V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,291 Kバイト