SiCパワーデバイスを対象とした繰り返しUIS試験による特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18054,SPC18148

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): Experimental evaluation using repetitive UIS test for SiC power devices

著者名: 相良 光彦(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Mitsuhiko Sagara(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Shin-ichi Nishizawa(Kyusyu University)

キーワード: 繰り返しＵＩＳ試験|パワーデバイス評価|ＳｉＣ素子|Repetitive UIS test|Evaluation of power device|SiC device

要約(日本語): 近年,半導体を用いた直流遮断器の研究が数多く報告されている。本稿ではSiCパワーデバイスの半導体直流遮断器への適用を前提として，アバランシェ耐量による評価を適用することにより性能評価を行う。そこで,SiC-MOSFETとSiC-JFETを対象として破壊点付近での繰り返しUIS試験による比較評価を行った。その結果，SiC-JFETに比べてSiC-MOSFETの方が特性劣化があることを実験により示す。

要約(英語): In recent years, researches on direct current circuit breakers using semiconductors have been reported. In this paper, experimental evaluation is performed by applying avalanche tolerance of SiC power device to semiconductor DC circuit breaker. Therefore, comparative evaluation rated at 400 V was conducted by repetitive UIS test around the breaking point for SiC-MOSFET and -JFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,302 Kバイト