埋込温度感知ダイオードを用いたパワーデバイスのジャンクション温度推定に関する一検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18055,SPC18149

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): A Study on the Junction Temperature Estimation of Power Device with Embedded Temperature Sense Diode

著者名: 福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Shuhei Fukunaga(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University)

キーワード: パワーモジュール|過渡熱抵抗測定|温度ダイオード|Ｓｉ　ＩＧＢＴ|ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|Power module|Transient thermal resistance measurement|Temperature sense diode|Si IGBT|SiC MOSFET

要約(日本語): パワーデバイスのジャンクション温度を推定する方法として、パワーデバイスに埋め込まれた温度ダイオード（TSD）を用いたジャンクション温度推定が普及している。本研究ではTSDによるジャンクション温度推定の妥当性について、実験とCFD解析による数値シミュレーションから検証した。そのためにまず、TSDを埋め込んだSi IGBTに対してStatic法に基づく過渡熱抵抗測定を行った。さらにTSDを埋め込んだSiC MOSFETについて同様の検討を行い、測定が難しいSiC MOSFETに対する過渡熱抵抗測定の妥当性について検討した。

要約(英語): The temperature sense diode (TSD) is widely used to estimate junction temperature of power device. This paper evaluated the validity of TSD with Si IGBT by the experiment with static test method and the numerical analysis with computational fluid dynamics (CFD) simulation. This paper validated modified static test method for SiC MOSFET embedded with TSD.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,077 Kバイト