宇宙環境で用いるパワーデバイスの宇宙線故障率の算出法提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18056,SPC18150

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): A new failure rate calculation formula for power semiconductors in space applications

著者名: 永松 拓朗(九州工業大学),須藤 雅貴(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Takurou Nagamatsu(Kyusyu Institute of Technology),Masaki Sudo(Kyusyu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyusyu Institute of Technology)

キーワード: 宇宙線破壊|パワーデバイス|ＴＣＡＤシミュレーション|ＰｉＮダイオード|人工衛星|宇宙ステーション|cosmic ray failure|power semiconductor|TCAD simulation|PiN diode|artificial satellite|space station

要約(日本語): 人工衛星や宇宙ステーションの消費電力増大により電力システムの高電圧化が進むと予測され、それに伴いパワーデバイスの高耐圧化も求められる。ところが宇宙での高耐圧デバイス利用を想定した宇宙線故障率の算出手法が無かった。そこで我々のグループは、宇宙線故障率の算出式を提案したが十分な精度が得られていなかった。本研究では、詳細なTCADシミュレーション結果を分析し新しい故障率算出式を提案する。

要約(英語): It is predicted that power supply voltages will increase with the power demand in space crafts. Accordingly, high voltage power semiconductors will be required to withstand high energy and high flux cosmic ray environment. In this paper, we propose a new formula to calculate failure rate for power semiconductors in space applications.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,165 Kバイト