電流積分電荷法によるパワーモジュール絶縁層の電荷蓄積の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18057,SPC18151

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): Electric Charge Accumulation Properties in Packaged Insulation Layer of Power Devise by using Q(t) Method

著者名: 高田 達雄(東京都市大学),土方 規実雄(東京都市大学),井上 隆(エー・アンド・ディ)

著者名(英語): Tatsuo Takada(Tokyo City University),Kimio Hijikata(Tokyo City University),Takashi Inoue(A and D)

キーワード: Ｑ（ｔ）法|電荷蓄積|パワーデバイス|ＩＧＢＴモジュール|絶縁層|Q(t) method|electric charge accumulation |power device|IGBT module|insulation layer

要約(日本語): パワーデバイスの IGBT-Mの絶縁層に直流電圧を印加して、絶縁層に蓄積される空間電荷形成を電流積分電荷法(Q(t)法)の適用を試みた。パワーデバイスのパッケージ 絶縁層は複雑な形状をしているにもかかわらず、電荷蓄積特性を電圧(100V～5000V)と温度(25℃～180℃)の範囲で評価できた。特性の異なるIGBT-M1とIGBT-M2のパワーデバイスについて電荷蓄積特性に著しい違いを得たので報告する。_x000D_

要約(英語): This paper describes the electric charge accumulation properties in package insulation layer of power electronic devise (IGBT modules) under conditions of DC voltage application (100V to 5000V) and temperature (20℃ to 80℃) by using a current integrated charge (Q(t)) method. The Q(t) equipment is connected in series to the sample under DC voltage source. We discuss the charge accumulation properties from the ratio of Q(t)/Q0 and Q(t)/( Qabs+ Qleak)/Q0 in the electronic devise under various DC voltage and temperatures.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,181 Kバイト