両面放熱パワーモジュールの具現化を牽引したFS-IGBTとその経緯　－シリコンチップの電子的・熱的・機械的特性を活かした実装技術－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18060,SPC18154

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): The FS-IGBT and its application history that promoted realization of the double-sided cooling power module in combination with the stacked cooling system -Original packaging technology considering electronic, thermal and mechanical characteristics of the

著者名: 戸倉 規仁(無所属),牧野 友厚(無所属)

著者名(英語): Norihito Tokura(independent),Tomoatsu Makino(independent)

キーワード: ＦＳ－ＩＧＢＴ|パワーカード|両面放熱パワーモジュール|積層冷却器|高電力密度|車載用|FS-IGBT|Power Card|double-sided cooling power module|Stacked cooling system|high power density|automotive use

要約(日本語): IGBTを高い電力密度条件下で使用するには低熱抵抗実装が必須条件であり、その実装技術として両面放熱パワーモジュールと積層冷却器が開発された。一方で、これらの技術を活かす上でFS-IGBT出現がカギであったことは知られていない。その経緯をパワー半導体デバイスの観点から振り返り、チップが備えるべき基本機能をレビューした。更に、主導権がチップからモジュールへ移るというパラダイムシフトがパワーカード開発を強く推進した。

要約(英語): Since smaller thermal-resistance design is indispensable for automotive high power IGBT modules, the double-sided cooling power module and the stacked cooling system have been developed. However, it is not known that the FS-IGBT has played an extremely important role in exquisite combination of them. Therefore, we have reviewed the bottlenecks from the viewpoint of the power semiconductor chips in the Power-Card followed by verifying again the basic fuctions which the chips should have. Besides, we have recognized that the paradigm shift from “Power semiconductor device first” to “Power module first” strongly pushed forward the Power-Card development.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,134 Kバイト