フローティングP層を電気的に分離することでターンオンdIc/dt制御性が向上したIGBTの表面セル構造

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18068,SPC18162

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): IGBT structure with electrically separated floating-p region improving turn-on dIc/dt controllability

著者名: 伊倉 巧裕(富士電機),小野澤 勇一(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Yoshihiro Ikura(Fuji Electric),Yuichi Onozawa(Fuji Electric),Akio Nakagawa(NAKAGAWA Consulting Office)

キーワード: ＩＧＢＴ|過渡解析|フローティングＰ層|ターンオン|制御性|ノイズ|IGBT|Transient analysis|Floating P|Turn on|Controllability|Noise

要約(日本語): ターンオンdIc/dt制御性が向上したIGBTの表面セル構造について報告する。提案する構造はフローティングP層がトレンチ側壁と電気的に分離されている点で従来の構造と異なる。ターンオン特性が向上しつつ、静特性とターンオフ特性は同等レベルであることをTCADシミュレーションにより示した。コレクタ電流が流れ始める直前のトレンチ側壁の電位が高いことがdIc/dt制御性の向上した原因であることが分かった。

要約(英語): IGBT cell structure for improving the turn-on dIc/dt controllability is presented. The difference from the conventional structure is that the floating-p region of the new structure is electrically disconnected from the trench-side-wall region. TCAD simulation suggests that the new device structure achieves better turn-on characteristics and almost the same static and turn-off characteristics compared to the conventional structure.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,495 Kバイト