CSTBTTM構造を持つRC-IGBTにおける高アバランシェ破壊耐量のためのDiode構造

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD18070,SPC18164

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2018/11/01

タイトル(英語): High avalanche capability specific Diode part structure of RC-IGBT based upon CSTBTTM

著者名: 曽根田 真也(三菱電機),赤尾 真哉(三菱電機),高橋 徹雄(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機)

著者名(英語): Shinya Soneda(Mitsubishi Electric Corporation ),Shinya Akao(Mitsubishi Electric Corporation ),Tetsuo Takahashi(Mitsubishi Electric Corporation ),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation )

キーワード: 逆導通型ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|アバランシェ|破壊耐量|RC-IGBT|CSTBT|Avalanche|Capability

要約(日本語): RC-IGBTの高性能化のために薄ウエハ化を進めると、内蔵するpnp構造の負性微分抵抗によって高いアバランシェ破壊耐量を得ることが難しい。そこで、CSTBTと同じ構造をもつDiode領域のトレンチピッチをIGBT領域より拡大する構造を採用した。本構造によりチップ内の耐圧バランスが調整され，pin構造のDiode領域がアバランシェ動作することにより高アバランシェ破壊耐量が実現される。

要約(英語): It is difficult to certify the stable BV characteristic of the RC-IGBT within the thin wafer because of a Negative Differential Resistance characteristic of pnp structure. We propose a high avalanche capability specific Diode part structure of the RC-IGBT based upon CSTBTTM. This stabilization of the BV characteristic was realized by adjusting the BV balance of entire chip by widening Diode’s trench pitch.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,222 Kバイト