SiGe BiCMOSの現状とRF ICへの応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/25

タイトル(英語): Recent advance of SiGe BiCMOS and its application to RF ICs

著者名: 吉増 敏彦(早稲田大学)

著者名(英語): Toshihiko Yoshimasu(Waseda University)

キーワード: ＳｉＧｅ|ＲＦ　ＣＭＯＳ|ＲＦ　ＩＣ|マイクロ波|ミリ波|無線通信|SiGe|RF IC|Microwave|Millimeter-wave|Wireless communication|RF CMOS

要約(日本語): SiGe BiCMOSとRF CMOS技術の動向を振り返り、これらのプロセスを用いて実現されたRF ICの性能と、その性能に与えるトランジスタの特性について述べる。

要約(英語): This paper presents recent advances of SiGe BiCMOS and Si RF CMOS technologies and their application to RF ICs.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 488 Kバイト