縦型GaNパワーデバイスの進展

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/25

タイトル(英語): Recent Progress of Vertical GaN Power Devices

著者名: 西井 潤弥(豊田合成株式会社),伊奈 務(豊田合成株式会社),上野 幸久(豊田合成株式会社),田中 成明(豊田合成株式会社),黒崎 潤一郎(豊田合成株式会社),鈴木 智行(豊田合成株式会社),長谷川 一也(豊田合成株式会社),安西 孝太(豊田合成株式会社),西尾 剛(豊田合成株式会社),村上 信吾(豊田合成株式会社),村上 倫章(豊田合成株式会社),岡 徹(豊田合成株式会社)

著者名(英語): Junya Nishii(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Tsutomu Ina(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Yukihisa Ueno(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Nariaki Tanaka(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Junichiro Kurosaki(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Tomoyuki Suzuki(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Kazuya Hasegawa(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Kota Yasunishi(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Go Nishio(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Shingo Murakami(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Noriaki Murakami(TOYODA GOSEI Co., Ltd.),Tohru Oka(TOYODA GOSEI Co., Ltd.)

キーワード: 窒化ガリウム|自立ＧａＮ基板|トレンチ|ショットキーバリアダイオード|電界効果トランジスタ|GaN|free-standing GaN substrate|trench|Schottky barrier diode|field-effect transistor

要約(日本語): 自立基板上に作製した縦型GaNトレンチMOSFETと縦型GaNトレンチMOS SBDを評価した。微細トレンチMOS構造で構成されたSBDは50Aを超える順方向電流と700Vの逆方向耐圧を実証した。FETは50Aを超える出力電流での大電流動作を実現した。

要約(英語): GaN trench metal-oxide-semiconductor (MOS) field effect transistors (FETs) and GaN trench MOS schottky barrier diodes (SBDs) fabricated on free-standing GaN substrates were evaluated. The SBDs comprising multiple trench MOS structures showed forward current of over 50 A and blocking voltage of over 700 V. The FETs exhibited high power operation with output current of over 50 A.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 826 Kバイト