GaNエピ基板上MOS特性の制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/25

タイトル(英語): MOS characteristics on GaN epitaxial substrate

著者名: 上野 勝典(富士電機（株）),松山 秀昭(富士電機（株）),田中 亮(富士電機（株）),高島 信也(富士電機（株）),江戸 雅晴(富士電機（株）),堀田 昌宏(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),中川 清和(山梨大学)

著者名(英語): Katsunori Ueno(Fuji Electric co.),Hideaki Matsuyama(Fuji Electric co.),Ryo Tanaka(Fuji Electric co.),Shinya Takashima(Fuji Electric co.),Masaharu Edo(Fuji Electric co.),Masaharu Horita(Nagoya Univ.),Jun Suda(Nagoya Univ.),Kiyokazu Nakagawa(Univ. of Yamanashi)

キーワード: ＧａＮ|ＭＯＳ|ＳｉＯ２|パワーデバイス|ＭＯＳＦＥＴ|イオン注入|GaN|MOS|SiO2|power device|MOSFET|ion implantation

要約(日本語): 自立ＧａＮ基板上のＭＯＳ特性、およびＭＯＳＦＥＴの特性制御について、紹介する。

要約(英語): GaN vertical power devices are expected as the next generation owing to its superior material characteristics such as high electron mobility and large breakdown field. The interface control of metal-oxide-semiconductor (MOS) for transistors are one of the most important technologies for power device application. Here, we report the state of art and discuss some issues of MOS interface on GaN homo-epi layers.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,055 Kバイト