AlNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISデバイスにおける界面電荷エンジニアリング

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/25

タイトル(英語): Interface charge engineering in AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices with AlN gate insulators

著者名: 出村 洋智(北陸先端科学技術大学院大学),Deng Yuchen(北陸先端科学技術大学院大学),Nguyen Duong(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Hirotomo Demura(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Yuchen Deng(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Duong Nguyen(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology)

キーワード: ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＭＩＳデバイス|ＡｌＮゲート絶縁膜|閾値電圧|界面固定電荷|AlGaN/GaN MIS devices|AlN gate insulator|threshold voltage|Interface fixed charge

要約(日本語): AlNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体(MIS)デバイス(AlN/AlGaN/GaN MISデバイス)の閾値電圧を、Al2O3/AlGaN/GaN MISデバイスと比較して調べた。Al2O3/AlGaN/GaN系MISデバイスでは閾値電圧の絶縁膜厚依存性が負の傾きを持つのに対し、AlN/AlGaN/GaN系MISデバイスでは正の傾きを持つことがわかった。これは、AlN/AlGaN界面における正の固定電荷密度が抑制されていることを示している。

要約(英語): We investigated the threshold voltages of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor (MIS) devices with AlN gate insulators (AlN/AlGaN/GaN MIS devices) in comparison with those of Al2O3/AlGaN/GaN MIS devices. We found that the insulator thickness dependence of the threshold voltage, affected by the insulator-semiconductor fixed charges, has a positive slope for the AlN/AlGaN/GaN MIS devices, whereas having a negative slope for the Al2O3/AlGaN/GaN MIS devices.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 713 Kバイト