４H-SiC MOSFETチャネル特性へ深い準位を有するドナー添加が及ぼす効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/26

タイトル(英語): Effect of Doping Deep Level Donor on Channel Characteristics of 4H-SiC MOSFETs

著者名: 野口 宗隆(三菱電機株式会社),岩松 俊明(三菱電機株式会社),網城 啓之(三菱電機株式会社),渡邊 寛(三菱電機株式会社),喜多 浩之(東京大学大学院),三浦 成久(三菱電機株式会社)

著者名(英語): Munetaka Noguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Toshiaki Iwamatsu(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroyuki Amishiro(Mitsubishi Electric Corporation),Hiroshi Watanabe(Mitsubishi Electric Corporation),Koji Kita(The University of Tokyo),Naruhisa Miura(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳ|反転層|移動度|硫黄|ドナー|SiC|MOS|inversion layer|mobility|sulphur|donor

要約(日本語): SiC MOSFETには素子の低抵抗化に加え、閾値電圧(Vth)の増加が望まれる。しかし、SiC MOSFETのチャネル抵抗(Rch)とVthにはトレードオフの関係があることが知られている。本研究では、チャネル領域へ添加するドナーのイオン化エネルギーに着目し、このトレードオフ関係の改善を検討した。SiC中で深い準位を形成するドナーである硫黄をチャネル領域へ添加することで、従来に比べRchとVthのトレードオフ関係が改善することが判明したので報告する。

要約(英語): It is a key challenge for 4H-SiC MOSFETs to achieve both low resistance and high threshold voltage (Vth). However, there is a trade-off relationship between channel resistance and Vth. We intentionally doped sulphur in the channel region of 4H-SiC MOSFETs, resulting in the improvement of the trade-off relationship compared with the conventional.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 821 Kバイト