フッ素系ドライエッチングを用いて形成されたゲートフィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMT の閾値電圧変動解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/26

タイトル(英語): Threshold voltage variation analysis in AlGAN/GaN HEMTs having gate field-plate fabricated by fluorine-based dry etching

著者名: 瓜生 和也(株式会社アドバンテスト研究所),佐藤 拓(株式会社アドバンテスト研究所),岡安 潤一(株式会社アドバンテスト研究所)

著者名(英語): Kazuya Uryu(Advantest Laboratories Ltd.),Taku Sato(Advantest Laboratories Ltd.),Junichi Okayasu(Advantest Laboratories Ltd.)

キーワード: 窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|ゲートフィールドプレート|閾値電圧変動|フッ素イオン|ＴＣＡＤシミュレーション|GaN|HEMT|gate field-plate|threshold voltage variation|fluorine ion|TCAD simulation

要約(日本語): SF6ドライエッチングによりGate部の保護膜を開口して形成したAlGaN/GaN-HEMTに関し、打ち込まれたF-による閾値電圧Vth変動への影響について調べた。実験的にVth変動が温度およびバイアス電圧に強く依存することを確認した。この結果はF-として負の可動イオンを仮定したDrift-Diffusionモデルを用いたシミュレーションにより、よく説明できることが分かった。さらに、Vth変動が生じている際の可動イオンの挙動を可視化することに成功した。

要約(英語): We investigated threshold voltage shifts caused by implanted fluorine ions in AlGaN/GaN HEMTs fabricated with opening gate window by SF6 dry etching of passivation layer. We experimentally confirmed that the threshold shifts greatly depend on temperature and bias voltage.We found that the experimental results can be well explained by a simulation with drift-diffusion model of negative mobile ions.Furthermore, we successfully visualized behavior of mobile ions while threshold voltage shifts are occurring in the simulation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 595 Kバイト