HVPE法によるGaNバルクおよびエピ成長技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2019/03/26

タイトル(英語): HVPE-based bulk and epitaxial layer growth of GaN crystals

著者名: 藤倉 序章(株式会社サイオクス)

著者名(英語): Hajime Fujikura(SCIOCS Co., Ltd.)

キーワード: ＧａＮ|ＨＶＰＥ|バルク|エピ成長|転位密度|不純物濃度|GaN|HVPE|bulk|epitaxial growth|dislocation density|impurity concentration

要約(日本語): HVPE法によるGaNバルク結晶およびエピ膜の成長技術を報告する。

要約(英語): HVPE-based GaN bulk crystal growth and epitaxial grwth technologies are presented.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,336 Kバイト