スーパージャンクションMOSFETにおけるUIS耐量への外部ゲート抵抗の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19060,SPC19146

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Influence of External Gate Resistance on UIS Capability in Superjunction MOSFET

著者名: 本田 真彬(新電元工業),山地 瑞枝(新電元工業),新井 大輔(新電元工業),鈴木 教章(新電元工業),浅田 毅(新電元工業),平澤 亘(新電元工業),山口 武司(新電元工業),渡辺 祐司(新電元工業)

著者名(英語): Masaaki Honda(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Mizue Yamaji(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Daisuke Arai(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Noriaki Suzuki(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Takeshi Asada(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Wataru Hirasawa(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Takeshi Yamaguchi(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd),Yuji Watanabe(Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd)

キーワード: スーパージャンクション|ＵＩＳ|外部ゲート抵抗|Superjunction|UIS|External gate resistance

要約(日本語): スーパージャンクション(SJ-)MOSFETのUIS耐量について検討した。SJ-MOSのUIS耐量にはチャージインバランス(CIB)依存があることが知られていたが、今回は、さらに外部ゲート抵抗(Rg)にも影響を受けることが新たにわかった。デバイスシミュレーションを用いて内部状態を調べたところ、UIS破壊にはチャネル電流の再導通が寄与していることが示唆された。CIBがPリッチに偏ったSJ-MOSでは、Rgを下げることで再導通が抑制され、耐量を大きく向上させることができた。

要約(英語): We found that UIS capability of SJ-MOSFETs has dependences not only on the charge imbalance (CIB) but also on the external gate resistance (Rg). The device simulations suggested that the device destruction by UIS is related to the re-conduction of channel current. For CIB as Qn

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,957 Kバイト