パワーMOSFETにおけるα線の影響と厚膜Cuめっきによるα線の遮蔽

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19064,SPC19150

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): The Impact of Alpha-Particle irradiation on Power MOSFETs and the Alpha-Particle Shielding by Thick Cu Plating Film

著者名: 西脇 達也(東芝デバイス＆ストレージ),大麻 浩平(東芝デバイス＆ストレージ),一関 健太郎(東芝デバイス＆ストレージ),相田 喜久夫(東芝デバイス＆ストレージ),大黒 達也(東芝デバイス＆ストレージ),高田 賢治(東芝デバイス＆ストレージ),小嶋 秀春(東芝デバイス＆ストレージ),川口 雄介(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Kohei Oasa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Kentaro Ichinoseki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Kikuo Aida(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tatsuya Oguro(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yoshiharu Takada(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Hideharu Kojima(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|アルファ線|Ｖｔｈシフト|Ｃｕめっき|遮蔽|Power MOSFET|alpha-pariticle|Vth shift|Copper plating|shielding

要約(日本語): 近年パワーMOSFETにおいて、パッケージのコネクタ接合用のはんだから発生したアルファ線による、しきい値変動が報告されている。本報告では、アルファ線源を用いて、パワーMOSFETに強制的にアルファ線を照射し、素子特性の変動の挙動について調べた結果を報告する。また、チップ表面に厚さ15um以上のCuめっきを成膜することで、チップ表面から入射するアルファ線を遮蔽し、特性変動を抑制した結果について報告する。

要約(英語): Recently, threshold voltage shift of Power MOSFET due to alpha-particles which radiated from the lead solder in package was reported. In this study, we reported characteristics degradation behavior due to alpha-particles irradiation. In addition, we demonstrated results of over 15 um thick copper plating film shielded alpha-particles and suppressed degradation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,344 Kバイト