高パワー密度、高周波WBG デバイスに向けたパワーモジュール技術の研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19065,SPC19151

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Research on Power Module technology for high power density and high frequency WBG devices.

著者名: 高橋 良和(東北大学),遠藤 哲郎(東北大学)

著者名(英語): Yoshikazu Takahashi(Tohoku University),Tetsuo Endoh(Tohoku University)

キーワード: ＷＢＧデバイス|ＳｉＣ，ＧａＮ|パワーモジュール|高周波|高パワー密度|WBG devices|SiC,GaN|Power Module|High frequency|High power density

要約(日本語): SiC,GaNデバイスなどの高パワー密度で高周波化が可能なワイドバンドギャップデバイスの優れた性能を活かしながら、高速のため電圧振動が多いなどの欠点を補うためのパワーモジュール技術の研究について述べる。

要約(英語): This paper describes research on power module technology to make up for the drawbacks such as voltage oscillation due to high speed, while taking advantage of the excellent performance of wide band gap devices such as SiC and GaN devices that can achieve high frequency ,high power density.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,408 Kバイト