6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19068,SPC19154

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Development of a compact model for a 6.5kV SiC-MOSFET

著者名: 滕 飛(東京工業大学),葛本 昌樹(東京工業大学),萩原 誠(東京工業大学),石井 佑季(三菱電機),中嶋 純一(三菱電機),椋木 康滋(三菱電機),堀口 剛司(三菱電機),地道 拓志(三菱電機)

著者名(英語): Fei Teng(Tokyo Institute of Technology),Masaki Kuzumoto(Tokyo Institute of Technology),Makoto hagiwara(Tokyo Institute of Technology),Yuki Ishii(Mitsubishi Electric Corp.),Jun-ichi Nakashima(Mitsubishi Electric Corp.),Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corp.),Takeshi Horiguchi(Mitsubishi Electric Corp.),Takushi Jimichi(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|デバイスモデル|出力特性|寄生容量|過渡解析|SiC-MOSFET|compact model|output characteristics|stray conductance|transient analysis

要約(日本語): 近年、実応用に向けた高耐圧SiC-MOSFETデバイスの研究開発が加速している。本研究では、高耐圧SiC-MOSFETの高精度なデバイスモデルの開発を目的とする。モデル化の対象は6.5kV耐圧SiC-MOSFETとした。従来の手法よりもデバイスの出力特性を高精度に取得可能な測定手法を提案し、本研究で開発したデバイスモデルを用いた過渡解析波形が実験波形と高精度に一致することを確認した。_x000D_

要約(英語): The purpose of research is to develop a compact model for a 6.5kV SiC-MOSFET. Compared to the original method, we created a new method to achieve high-quality output characteristics. Finally, using the compact model, we confirmed that the transient characteristics analysis waveform matches the experimental waveform very well._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,477 Kバイト